Fontos év előtt áll a Samsung. Ha a híreszteléseknek lehet hinni, akkor a Galaxy S24 termékcsaládnál visszatérnek a gyökereikhez, amit az európai/nemzetközi leendő vásárlók egyelőre hidegzuhanyként konstatálnak, hiszen a felsőkategóriában a Qualcomm előnye mindig adott volt. Ismét az Exynos oszthatja meg a közönséget, ám sose feledjük el, hogy anno az xBox360 sikerénél se gondolta senki, hogy majd a Sony felülkerekedik a Microsoft-on. Úgy gondolom, hogy a jövő évi Galaxy S-széria fontos pillére lehet lapkagyártó szegmensnek, hiszen ha a számításaik igazolódnak, akkor méltó versenytársat kaphat a Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy chipset, amelyet még a Samsung is továbbgondol, csakhogy a pakliba helyezze az öngól lehetőségét. (…hiszen több vasat tart a tűzben, rosszul sehogy sem jöhet ki a végelszámolásnál.)
A gyártó régóta kísérletezik azon, milyen hűtés megoldás kerüljön a termékeibe, amellyel a hőt megfelelőképpen tudják elvezetni, ezáltal pedig a terhelés fokozása minél nagyobb mértékűvé válhasson. Nem csak teljesítmény alapúra asszociáljatok, hiszen a 45W-os töltés felvétel fölé történi elrugaszkodásnak szintúgy meg szeretnének ágyazni.
Ismételten Revegnus szállított egy fontos pletykát – ami könnyedén valós tény lehet –, amely az úgy nevezett vapor chamber-re fókuszálna a Galaxy S24 termékcsalád esetében. Az általa idézett website információja szerint:
- a Galaxy S23 5G-hez képest a Galaxy S24 5G 1.5-ször;
- a Galaxy S23+ 5G-hez mérve a Galaxy S24+ 5G 1.6-szor;
- míg a Galaxy S23 Ultra 5G-hez viszonyítva a Galaxy S24 Ultra 5G 1.9-szer nagyobb gőzkamrával fog rendelkezni.
Mondanom se kelljen, de ez igen jelentős növekedés, főleg úgy, hogy már az elődöknél se voltak ezek a mutatók alacsonyak. Mint fentebb írtam, a cél a terheléssel járó hőnek az elvezetése, eloszlatása, hogy az ne okozzon visszaszabályozást.
Aki nem jártas a technológiák világában, azoknak írnám, hogy a hőtermélés egy olyan teljesítmény által mutatkozott (kémiai) reakció, ami a készülék erőforrásának felhasználását visszább veheti. Pl.: ha mondjuk gyorstöltést végzünk 45W-on, és a hőtermelés fokozódik, akkor a töltésnél visszaszabályozás történik, hogy csökkentse a hőt, s ezáltal ne okozzon kárt egyetlen alkatrészben sem. (Ezért van az, hogy a 45W-nál se tölt maximális értékkel, sőt, azt alig éri el.) A töltés mellett az erőforrás igényesebb alkalmazások szintén igényelhetik a hűtés megoldását, hogy ne toldojon későbbre végrehajtási idő.
Vélhetően a hőkamrának a növelése nem csak a túlhúzott Snapdragon lapka miatt volt terítéken, hanem a gyártó szeretne végre valahára a közelebbi jövőben elrugaszkodni a 25W-os gyorstöltési átlagról, amelyet az okostelefon portfóliójának legalább 80%-a használnál. Egy újabb teljes generáción látva a javulási értéket, könnyedén megkaphatjuk a Galaxy S25-öknél vagy a Galaxy S26-oknál a hőn áhított 65W-ot, amit egyelőre csak a Galaxy Book-éra bizonyos tagjai tudnak lekezelni. Másrészről, a hőkamrák már bizonyítottak, hiszen akár ugyanazzal a watt számmal az újabb generációk egy kicsivel gyorsabban töltődnek fel 0%-ról 100%-ra, ami nagyjából 3-6 percnyi különbség, viszont ez a töltő teljesítményében nem érzékelődik.
Galaxy világa 